4月29日消息，《科创板日报》29日讯，三星电子周四宣布，将在本季度开始使用3GAE(早期3nm级栅极全能)工艺进行大规模生产，这也是首个使用环栅场效应晶体管(GAAFETs)的节点。“这是世界上首次大规模生产的GAA 3纳米工艺，将以此提高技术领先地位。”三星在一份报告中写道。